البحث عن الكتب
الكتب
التبرع والدعم
تسجيل الدخول
تسجيل الدخول
المستخدمين المصرح لهم متاح لهم التالي:
توصيات شخصية
روبوت Telegram
تاريخ التنزيلات
إرسال إلي Email أو Kindle
إدارة المجموعات المختارة
حفظ في المفضلة
شخصي
طلبات الكتب
تعلم
Z-Recommend
قوائم الكتب المختارة
الأكثر شهرة
الفئات
مشاركة
التبرع والدعم
التحميلات
Litera Library
التبرع بالكتب الورقية
أضف كتبًا ورقية
Search paper books
LITERA Point الخاص بي
البحث عن الكلمات الرئيسية
Main
البحث عن الكلمات الرئيسية
search
1
Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники
Быкадырова Галина Владимировна
,
Ткачев Александр Юрьевич
,
Бормонотов Евгений Николаевич
,
Битюцкая Лариса Александровна
рис
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
примеси
диффузии
распределение
примесей
распределения
мкм
файла
ионов
sio2
модели
кремния
командного
окисла
моделирования
бора
концентрации
структуры
voltage
концентрация
параметров
фосфора
уравнений
poisson
ионно
имплантации
области
mdraw
умолчанию
erfc
сетки
δr
помощью
слоя
уравнения
файл
coupled
electron
refinement
grid
node
thickness
temperature
اللغة:
russian
ملف:
PDF, 2.85 MB
الشعارات الخاصة بك:
0
/
0
russian
2
Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов
Быстрицкий Алексей Викторович
,
Быкадорова Галина Владимировна
,
Пономарев Константин Геннадьевич
,
Ткачев Александр Юрьевич
моп
uзи
рис
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
области
drain
напряжение
uси
структуры
вольт
напряжения
voltage
node
uпор
исток
сток
l_gate
poisson
носителей
транзистора
характеристик
стока
coupled
electron
затворе
характеристики
defcolor
gate
iси
канала
насыщения
нормально
_des
goal
initialstep
maxstep
minstep
quasistationary
sdevice
амперных
модуля
электронов
fileprefix
дырок
اللغة:
russian
ملف:
PDF, 1.16 MB
الشعارات الخاصة بك:
0
/
0
russian
3
Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов
Быстрицкий Алексей Викторович
,
Быкадорова Галина Владимировна
,
Пономарев Константин Геннадьевич
,
Ткачев Александр Юрьевич
моп
uзи
рис
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
области
drain
напряжение
uси
структуры
вольт
напряжения
voltage
node
uпор
исток
сток
l_gate
poisson
носителей
транзистора
характеристик
стока
coupled
electron
затворе
характеристики
defcolor
gate
iси
канала
насыщения
нормально
_des
goal
initialstep
maxstep
minstep
quasistationary
sdevice
амперных
модуля
электронов
fileprefix
дырок
اللغة:
russian
ملف:
PDF, 1.16 MB
الشعارات الخاصة بك:
0
/
0
russian
4
Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD: Учебное пособие
ИПЦ ВГУ
Асессоров В.В.
,
Быкадорова Г.В.
,
Ткачев А.Ю.
транзистора
рис
области
моп
drain
напряжения
node
voltage
исток
напряжение
сток
характеристики
poisson
gate
l_gate
определение
coupled
electron
затворе
стока
характеристик
defcolor
передаточной
_des
goal
initialstep
maxstep
minstep
quasistationary
uси
выходных
канала
модели
насыщения
состоянии
подложки
расчет
dessis
стоке
fileprefix
задание
линейной
нормально
открытом
поликремния
порогового
рисунке
uзи
напряжении
определяется
عام:
2007
اللغة:
russian
ملف:
PDF, 647 KB
الشعارات الخاصة بك:
0
/
0
russian, 2007
1
ادخل علي
هذا الرابط
أو إبحث عن البوت "@BotFather" في Telegram
2
أرسل الأمر /newbot
3
أدخل إسمًا للبوت الخاص بك
4
أدخل إسم المستخدم للبوت
5
انسخ الرسالة الأخيرة من BotFather والصقها هنا
×
×